2p4m单向可控硅
●产品特点
pnpn四层结构的硅器件；p型对通扩散隔离；                                  
台面玻璃钝化工艺；背面多层金属电极；                                          
门极灵敏触发；                                                                
                                                                   
●用途
彩灯控制器   调光、调温控制电路                                                
逻辑电路驱动 臭氧发生器                                          
电子点火器   其他开关控制电路                                                
●封装形式                                    k：阴极
to-126                                              g：控制极
                                                 a：阳极
●主要参数(tj=25℃)
符号
项目
数值
单位
it(av)
通态平均电流
2
a
vdrm/vrrm
断态/反向重复值电压
≥400
v
igt
控制极触发电流
200
ua
                    
●极限参数
符号
参数
数值
单位
it(rms)
通态均方根电流(1800传导角度)
3
a
it(av)
通态平均电流(1800传导角度)
2
a
itsm
通态不重复浪涌电流(tp=10ms)
20
a
igm
控制极峰值耗散电流(tp=20μs)
1
a
pgm
控制极峰值耗散功率
0.5
w
pg(av)
控制极平均耗散功率
0.1
w
tstg
tj
贮存温度
操作结口温度
-40--+150
-40--+110
℃
 
●热阻
符号 参数
数值
单位
rth (j-c)
热阻结到管壳
60
℃/w
rth (j-a)
热阻结到环境
150
℃/w
●电特性(tj=25℃除非有其它的温度存在)
符号
测试条件
数值
单位
最小值
典型值
最大值
igt
控制极触发电流vd=6v, rl=100ω, rgk=1kω
-----
-----
200
ua
vgt
控制极触发电压vd=12v, rl=100ω, rgk=1kω
-----
-----
0.8
v
vgd
控制极不触发电压vd=1/2vdrm, rgk=1kωtj=125℃
0.2
-----
-----
v
ih
维持电流vd=24v, rgk=1kω, itm=4a
-----
1
3
ma
dv/dt
换向电压临界上升率vd=2/3vdrm, rgk=1kω,tj=125℃
10
10＃＃
-----
v/μs
vtm
通态峰值电压itm=4a
-----
-----
2.2
v
idrm
irrm
vd=vdrm
vr=vrrm
tj=125℃
-----
-----
100
ua
tj=125℃
-----
-----
100
ua

---

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