制造半导体器件技术+电力半导体器件原理与应用(配光盘)'制造半导体器件技术+电力半导体器件原理与应用(配光盘)一.本套技术资料共三张光盘。包含一张pdf图书光盘（里面有我们独家聘请的相关领域内的技术权威和技术专家专业编写的8-12本相关技术书籍）及二张配套生产技术工艺光盘。联系电话:13941407298 在线ｑｑ：547978981。
二.图书概要及部分目录（因篇幅所限此处只列举一本的概要）：
序言
前言
第1章　绪论
1.1　电力半导体器件的基本功能和用途
1.2　电力半导体器件的基本分类和应用
1.2.1　按照电力半导体器件控制特性分类
1.2.2　按照电力半导体器件发展分类
1.2.3　按照电力半导体器件驱动方式分类
1.2.4　按照电力半导体器件中载流子性质分类
1.3　di/dt和du/dt在电力半导体器件中的特殊意义
1.4　电力半导体器件的发展
参考文献
第2章　半导体器件的物理基础
2.1　半导体与导体、绝缘体
2.2　原子中的电子能级
2.2.1　孤立原子中的电子能级
2.2.2　两个原子之间的共价键
2.3　晶体中的能带
2.3.1　晶体中的能级——能带
2.3.2　晶体中的禁带宽度
2.3.3　半导体的晶体结构
2.4　本征半导体与杂质半导体
2.4.1　电子与空穴
2.4.2　费米?狄拉克分布
2.4.3　从本征半导体到杂质半导体
2.4.4　杂质半导体的关键参数
2.5　半导体中的载流子运动
2.5.1　电离与复合
2.5.2　布朗运动
2.5.3　漂移运动
2.5.4　扩散运动
参考文献
第3章　双极型电力半导体器件基本原理
3.1　单pn结器件运行原理
3.1.1　pn结的基本结构
3.1.2　平衡条件下的pn结
3.1.3　偏置条件下的pn结
3.2　pn结的运行特性
3.2.1　pn结的击穿与穿通
3.2.2　pn结的电容效应
3.2.3　pn结器件的电路特性
3.3　pin器件运行原理
3.3.1　pin二极管基本结构和正偏置下的行为
3.3.2　pin二极管的恢复特性
3.4　三层两结器件运行原理
3.4.1　双极晶体管的基本结构
3.4.2　双极晶体管中pn结的相互作用
3.5　四层三结器件运行原理
3.5.1　晶闸管的基本结构
3.5.2　晶闸管的基本工作原理
3.5.3　gto的基本结构和基本工作原理
参考文献
第4章　单极型及混合型电力半导体器件基本原理
4.1　肖特基势垒器件
4.1.1　肖特基势垒
4.1.2　肖特基二极管的基本结构
4.1.3　肖特基二极管的基本工作原理
4.2　结型场效应器件和静电感应器件
4.2.1　结型场效应晶体管的基本结构
4.2.2　结型场效应晶体管的基本工作原理
4.2.3　静电感应晶体管的基本结构和工作原理
4.2.4　静电感应晶闸管的基本结构和工作原理
4.3　功率mosfet
4.3.1　mos结构
4.3.2　mosfet的基本结构
4.3.3　mosfet的基本工作原理
4.3.4　功率mosfet
4.4　混合型器件igbt
4.4.1　igbt的基本结构
4.4.2　igbt的基本开关原理
4.4.3　igbt结构的一些演变
4.5　混合型器件igct
4.5.1　igct的基本结构
4.5.2　igct的工作原理
参考文献
第5章　电力半导体器件的特性和参数
5.1　双稳态和双瞬态的基本工作状态
5.1.1　特性与参数关系
5.1.2　双稳态与双瞬态
5.1.3　额定值与特征值
5.2　通态特性及其参数
5.2.1　单极型器件的通态特性与参数
5.2.2　双极型和混合型器件的通态特性与参数
5.2.3　通态中的电阻及并联特性
5.3　阻态特性及其参数
5.3.1　器件的阻态特性及其参数
5.3.2　阴极(阳极)短路发射极结构
5.3.3　穿通与击穿
5.4　开通过程及参数
5.4.1　器件开通的物理过程
5.4.2　典型器件的开通过程
5.4.3　放大门极结构(ag)
5.5　关断过程及其参数
5.5.1　器件关断的物理过程
5.5.2　典型器件的关断特性
5.5.3　反向恢复特性
5.6　触发的类型和特性
5.6.1　触发过程的物理现象及参数
5.6.2　典型器件的触发特性及其参数
5.7　器件特性及系统安全工作区
5.7.1　电力半导体器件特性对比
5.7.2　变换器系统安全工作区
参考文献
第6章　电力半导体器件应用特性分析
6.1　电力半导体器件的串、并联使用
6.1.1　电力半导体器件的并联使用
6.1.2　电力半导体器件的串联使用
6.2　电力半导体器件可靠性和失效分析
6.2.1　电力半导体器件可靠性概述
6.2.2　电力半导体器件失效分析
6.2.3　igbt的失效分析
6.2.4　igct的失效分析
6.3　电力半导体器件的保护
6.3.1　电力半导体器件保护简述
6.3.2　igbt的保护
6.3.3　igct的保护
参考文献
第7章　变换器中电力半导体器件应用特性分析
7.1　电力电子变换器的基本换流行为
7.1.1　变换器的常用拓扑结构
7.1.2　理想基本拓扑单元及换流行为
7.1.3　基于电力半导体特性的变换器换流行为
7.2　吸收电路关键参数设计及优化
7.2.1　线性吸收电路的假设和定义
7.2.2　线性吸收电路的参数优化和分析
7.2.3　igbt吸收电路
7.2.4　igct吸收电路
7.3　电力半导体器件特性的相互影响范例分析
7.3.1　基于igct的三电平逆变器基本换流方式
7.3.2　三电平逆变器中器件稳态特性相互影响
7.3.3　三电平逆变器中器件暂态特性相互影响
参考文献
第8章　适用于变换器仿真的电力半导体器件建模
8.1　变换器仿真中的电力半导体器件建模
8.1.1　对变换器仿真的基本理解
8.1.2　变换器中器件建模分类
8.1.3　半导体器件的基本物理现象
8.1.4　半导体器件的基本仿真方法
8.2　适用于变换器仿真的igbt模型
8.2.1　igbt工作机理数学描述
8.2.2　igbt模型的参数提取和模型实现
8.2.3　实验和仿真
8.2.4　igbt模型的应用
8.3　适用于变换器仿真的igct模型
8.3.1　igct功能型模型简述
8.3.2　igct模型结构和参数求解
8.3.3　igct仿真与实验对比
8.3.4　igct模型的应用
8.4　变换器中的开关器件损耗计算以及热路分析
8.4.1　器件损耗及热阻模型
8.4.2　基于igbt的两电平变换器损耗分析范例
8.4.3　基于igct的三电平变换器损耗分析范例
8.4.4　不同封装器件热路分析对比
参考文献
三.本套资料配套的两张光盘目录如下：
[ [0001] 一种电子熔线及形成该电子熔线的制造方法
[0002] 场效应晶体管
[0003] 铁电器件以及制造该器件的方法本发明涉及铁电器件(10)，其具有包括衬底(1)和铁电层(2)的主体(11)，在远离衬底(1)的一侧为该铁电层(2)提供连接导体(3)，该铁电层包含无氧铁电材料(2)并用于形成有源电元件(4)，特别是存储元件(4)。这种器件形成有吸引力的非易失性存储器件。根据本发明，在衬底(1)和铁电层(2)之间存在导电层(5)，该导电层形成铁电层(2)的另外的连接导体(5)，且作为该铁电层(2)与连接导体(3、5)中的至少一个形成****基结这一事实的结果，形成有源电元件(4)。实践中已经发现这种器件(10)包括性能优越的存储元件(4)，该存储元件(4)可以容易地形成在优选单晶硅衬底(1)上。优选地，该器件(10)还包括场效应晶体管(6)，且优选元件(4)位于该晶体管(6)的源或漏区(7)上。该有源元件也可以充当二极管。
[0004] 微型电极的制造方法
[0005] 替代衬底及使用该替代衬底的衬底处理方法
[0006] 高功率mcm封装
[0007] 非挥发性存储单元及其制造方法
[0008] 场效应晶体管
[0009] 各向异性导电连接器探针元件和晶片检测仪器及晶片检测方法
[0010] 仿神经元突触结构的柔性三极管
[0011] 半导体器件
[0012] 一种制造半导体器件的方法
[0013] 半导体晶片、其制造方法以及制造半导体器件的方法
[0014] 大面积内部串联染料敏化纳米薄膜太阳电池及其制作方法
[0015] 具有包括带金属电极网的反射镜的共振腔的msm型光电检测器件
[0016] 氧化层的方法及基板的相关支持装置 [0017] 布线衬底、使用该布线衬底的固态成像装置及其制造方法
[0018] 强电介质存储器、半导体装置、强电介质存储器的制造方法以及半导体装置的制造...
[0019] 发光二极管结构
[0020] 光电半导体元件
[0021] 独石白光发光器件
[0022] 使用交替淀积和蚀刻以及脉冲等离子体对高纵横比soi结构进行没有切口的蚀刻
[0023] 半导体封装及其制造方法
[0024] 大面积内部并联染料敏化纳米薄膜太阳电池及其制作方法
[0025] 有机场效应晶体管及制造方法和含该晶体管的平板显示器
[0026] 半导体器件
[0027] 基板处理装置及其基板处理方法
[0028] 场效应晶体管及其制造方法
[0029] 半导体薄膜制造方法及装置、光束成形掩模及薄膜晶体管
[0030] soi晶片的制造方法
[0031] 半导体装置、其电检查方法、以及具备它的电子设备
[0032] 气体供给装置及处理系统
[0033] 源极及漏极中聚含掺质金属的晶体管
[0034] nrom存储器元件存储器阵列相关装置和方法
[0035] 使用金属氧化物形成双重栅极氧化物器件的方法及其合成器件
[0036] 引线直接粘附到芯片的半导体封装及其制造方法和设备 [0037] 大功率发光二极管荧光粉固化工艺
[0038] 形成图案的方法，薄膜晶体管，显示设备及制法和应用
[0039] 半导体器件
[0040] 氧化膜形成方法及氧化膜形成装置
[0041] 集成驱动器工艺流程
[0042] 多层印刷线路板
[0043] 等离子体处理系统中的整合阶梯式统计过程控制
[0044] 用于制造半导体器件的集群型灰化设备
[0045] 各向异性导电连接器导电浆料成分探针元件和晶片检测仪器及晶片检测方法
[0046] 场效应晶体管
[0047] 自对准式薄膜晶体管的制造方法
[0048] 用半导体工艺制作平面式气体传感器基底的方法
[0049] 垂直nrom
[0050] 执行掩模图案的透射调节以改善处理宽容度的方法
[0051] 减少半导体材料中的缺陷
[0052] 电气结面中解除钉止半导体费米能阶的方法及结合该结面的设备
[0053] 电引线架的制造方法表面安装的半导体器件的制造方法和引线架带
[0054] 副支架和半导体器件
[0055] 发光装置及其制造方法
[0056] 多晶半导体膜制造方法及其装置和图像显示面板 [0057] 影像感测器及其封装方法
[0058] 半导体集成电路器件
[0059] 用于成像探测器的封装结构
[0060] 处理装置
[0061] 半导体发光装置及制造方法
[0062] 半导体器件和用于半导体器件的多层基板
[0063] 双金属镶嵌沟深度监控系统
[0064] 基于电场可编程的存储设备
[0065] 芯片于感光元件上的封装结构及其电气封装结构
[0066] 具有自对准结构的垂直栅半导体器件
[0067] 压电执行器及其制造方法
[0068] 半导体发光装置及其制法和半导体发光装置用反射器
[0069] 一种硅衬底纳米氧化锌及其制备方法和应用
[0070] 存储单元列及其构成的阵列、及该阵列的制造与操作方法
[0071] 与非门型闪存存储单元列及其制造方法
[0072] 一种管状缺陷的检测方式
[0073] 半导体芯片的放热结构
[0074] 化学机械研磨方法、化学机械研磨系统、半导体器件制造方法
[0075] 镀膜装置
[0076] 可增加自发光线射出效率的发光二极管 [0077] 高功率led封装
[0078] 氧化铪铝介质薄膜
[0079] 带有底切区域中的绝缘层环的沟槽电容器及其制造方法
[0080] 带电流检测功能的半导体集成电路及使用其的电源装置
[0081] 具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件
[0082] 散热装置的制备方法
[0083] 用于真空处理系统的传送处理室
[0084] 发光装置及照明装置
[0085] 基板制造装置
[0086] 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
[0087] 半导体器件
[0088] 具有芯片级封装外壳的半导体器件
[0089] 半导体器件及制造此器件的方法
[0090] 电路装置
[0091] 半导体器件及其制造方法
[0092] 光感测芯片的封装结构及其制造方法
[0093] 氮化镓基ⅲ-族化合物半导体发光器件及其制造方法
[0094] 非易失性半导体存储器及其制造方法
[0095] gn基发射辐射的薄膜半导体器件
[0096] 有机发光二极管及包含其的显示面板与通讯装置 [0097]用于快速热处理装置的温度测量系统的光学路径提高、焦距变化补偿、以及漫射光...
[0098] 半导体器件、其制造方法及其液晶模块和半导体模块
[0099] 半导体器件的错误评价支持方法与装置
[0100] 薄膜晶体管
[0101] 微电极连接方法及基于其的连接结构
[0102] 沉积方法与半导体器件
[0103] 闪存存储单元的制造方法
[0104] 电子装置的制造方法
[0105] 用于电荷转移元件的信号电荷转换器
[0106] 半导体装置、电光学装置、集成电路及电子设备
[0107] 半导体装置制造方法、半导体装置和半导体芯片
[0108] 高发光效率的氮化物发光元件
[0109] 表面纹理结构与一种最小化和局部化晶格常数及热涨系数失配的方法
[0110] 用于成像探测器的半导体结构
[0111] 自对准分离栅与非型快闪存储器及制造工艺
[0112] 固态成像器件
[0113] 具有将可控硅用作保护元件的静电保护电路的半导体装置
[0114] 电路装置
[0115] 多层布线基板制造用层间构件及其制造方法
[0116] 深沟渠式电容以及单晶体管静态随机存取内存单元的结构 [0117]固定在加强半导体晶圆上的加强板的分离方法及其装置
[0118] 可表面安装的半导体器件及其制造方法
[0119] 制造半导体器件的方法
[0120] 饱和型磷光体固态发射器
[0121] 带收缩性离型膜的切割膜及使用其的半导体组件制造方法
[0122] 精密加工用载物台装置
[0123] 快闪存储器结构及其制作方法
[0124] 叠层式电子部件
[0125] 铁电体存储器元件及其制造方法
[0126] 半导体器件的制造方法及由此制造的半导体器件
[0127] 制造垂直栅极半导体器件的方法
[0128] 非挥发性存储单元的制造方法
[0129] 一种太阳能转化电热能集成玻璃换热元件
[0130] 半导体晶片的制造方法
[0131] 垂直结构的有机粘结发光组件
[0132] 隐埋数位线堆积及其制造方法
[0133] 包括阻挡层/子层的发光二极管及其制造方法
[0134] 一种太阳能转化电热能集成全玻璃外壳换能元件
[0135] 于基板上产生结构的方法
[0136] 缩小集成电路的接触部尺寸以制造多阶层接触的方法 [0137] 半导体器件及其制造方法
[0138] 存储器件及其制造方法
[0139] 硅氧化物氮化物氧化物半导体型存储器件
[0140] 使用离散气体切换方法的高纵横比/深度蚀刻中的侧壁平滑
[0141] 半导体装置、磁传感器和磁传感器单元
[0142] 薄膜晶体管元件
[0143] 闪速存储器的制造方法
[0144] 光源组件和车辆用前照灯
[0145] 将半导体晶片切割成小片的方法及使用这种方法的设备
[0146] 具有栅极电介质结构易失性存储器的晶体管及其制造方法
[0147] 监测离子植入状态的芯片重复再使用的方法
[0148] 一种长余辉发光二极管及制作方法
[0149] 用于检测衬底位置/存在的共用传感器
[0150] 制作阻挡层的方法
[0151] 磁致伸缩执行器
[0152] 晶片的加工方法
[0153] 短路失效模式预制件的功能涂层
[0154] 场效应晶体管及其制造方法
[0155] 平板传热装置及其制造方法
[0156] 使用碳纳米管和cd增加热界面的导热率 [0157] 衬底处理方法
[0158] 半导体发光器件
[0159] 集成电路及其制造方法
[0160] 从衬底表面选择性去除材料的方法用于晶片的掩盖材料和带有掩盖材料的晶片
[0161] 电荷耦合元件的电压控制装置及控制方法
[0162] 半导体用研磨剂、该研磨剂的制造方法和研磨方法
[0163] 半导体元件缺陷的检测方法
[0164] 压电陶瓷和压电元件
[0165] 用化合物完全或部分覆盖至少一个电子元件的方法和设备
[0166] 金属-绝缘体-金属电容器之电极的制造方法
[0167] soi晶片的制造方法
[0168] 减少在半导体装置制造过程中图案变形及光阻膜毒化的方法
[0169] 铁电存储器元件及其制造方法
[0170] 半导体器件的制造方法、半导体器件、电光装置用基板、电光装置和电子设备
[0171] 冲洗的喷嘴与方法
[0172] 沟道中具浅锗注入区的晶体管
[0173] 导光装置
[0174] 具有双向对准图案的掩膜
[0175] 一种立体吸光的丝状集成染料敏化太阳电池
[0176] 半导体芯片、半导体装置、半导体装置的制造方法 [0177] 树脂密封型半导体装置及其制造方法
[0178] 闪速存储器的制造方法
[0179] 浮置栅极的形成方法
[0180] 半导体装置及其金属栅极的形成方法
[0181] 半导体器件及其制造方法
[0182] 部分耗尽硅基绝缘体器件结构的自对准主体结
[0183] 半导体装置及半导体制造装置
[0184] 具有****基结电极的半导体装置
[0185] 电子对准电容性地耦合的芯片焊盘的方法和装置
[0186] 沟槽****基势垒二极管
[0187] 专用半导体电路及半导体电路驱动器的资源配置方法
[0188] 多层基板堆栈封装结构
[0189] 半导体存储器件及其制造方法
[0190] 制作通孔的方法
[0191] 光电二极管阵列、其制造方法和放射线检测器
[0192] 半导体发光元件及其制造方法、使用此的发光装置
[0193] 抗蚀图形形成方法、利用该方法的半导体装置及其曝光装置
[0194] 等离子体处理装置以及方法
[0195] 紫外线传感器及其制造方法
[0196] 高光强光电管 [0197] 具有水平电极的硫属化合物记忆胞及其形成方法
[0198] 固体摄像装置和具有图像处理功能的便携电话机
[0199] 固态元件和固态元件装置
[0200] 半导体装置、电光学装置、集成电路和电子仪器
[0201] 具有半导体路径的半导体装置及其制造方法
[0202] 混合集成电路装置
[0203] 各向异性导电连接器导电浆料成分探针元件和晶片检测仪器及晶片检测方法
[0204] 低功率熔丝结构及其制造方法
[0205] 半导体基板、半导体装置、及它们的制造方法
[0206] 放热用构件及其连接构造体
[0207] 光耦合器以及使用该光耦合器的电子设备
[0208] 电子元件安装装置和电子元件安装方法
[0209] 包含金属硅化物栅和沟道注入的晶体管构件及其制造方法
[0210] 半导体装置的制造方法
[0211] 垂直结构的半导体芯片或器件（包括高亮度led）
[0212] 晶片等支撑部件
[0213] 用于集成电路技术中的局部电阻元件的结构和方法
[0214] 位于绝缘体上硅结构衬底上的相变存储器单元
[0215] 电子器件和该电子器件的制造方法
[0216] 具有到沟道的钝化****基势垒的绝缘栅场效应晶体管 [0217] 过程控制系统用的动态目标设定方法及装置
[0218] 改进的beol互连结构中的双层hdp cd/pe cd帽层及其方法
[0219] 制造半导体器件的方法
《电力半导体器件原理与应用》由袁立强、赵争鸣、宋高升、王正元编著，力求从电力半导体器件应用的角度来诠释和分析其基本原理和应用特性。全书共分为8章，第1章主要阐述电力半导体器件的基本功能和用途；第2章介绍半导体器件物理基础，包括半导体与导体、绝缘体，原子中的电子能级，晶体中的能带等；第3章阐述双极型电力半导体器件基本原理，包括单pn结器件及多pn结特性；第4章介绍单极型及混合型器件电力半导体器件基本原理，涉及结型场效应器件、静电感应器件、功率mosfet器件、混合型器件igbt和混合型器件igct等；第5章叙述电力半导体器件的特性和参数，包括双稳态和双瞬态的基本工作状态，通态特性、阻态特性、开通过程、关断过程、触发特性以及系统安全工作区等；第6章重点分析了电力半导体器件应用特性，包括电力半导体器件的串、并联使用、电力半导体器件可靠性和失效分析以及电力半导体器件的保护等；第7章进一步分析了变换器中电力半导体器件应用特性，着重考虑电力半导体器件与变换器中其他因素之间的关系；第8章介绍适用于变换器仿真的电力半导体器件建模，以为变换器主回路优化设计所用。
《电力半导体器件原理与应用》可作为电机系统及其控制、电力电子与电力传动等学科研究生专业课程的参考书，也可供从事电力电子技术应用的科技人员和有关科技管理人员参考。
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5.本套制造半导体器件技术+电力半导体器件原理与应用(配光盘)因为篇幅所限，有更多的相关内容不能全部列出。但是我们给您所发送的货里则包含全部8-12本相关技术书籍和从1985年至今的更多最新相关科研成果,联系电话:13941407298 在线ｑｑ：547978981。'

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